最新 1 月 20 日消息，2026 年 1 月 18 日在美光纽约工厂奠基仪式上，美国商务部部长霍华德 · 卢特尼克（Howard Lutnick）释放明确信号：存储芯片制造商要么选择在美国本土建厂，要么面临高达 100% 的惩罚性关税。

继台积电、三星等企业响应“美国制造”号召进行投资后，美国政府此次将矛头明确指向了 DRAM（动态随机存取存储器）供应链，意图通过高额关税倒逼全球存储巨头将产能转移至美国，而此举可能会进一步推高全球内存价格。

尽管三星电子和 SK 海力士已在美国布局，但其现有规划恐难逃新政制裁。三星此前虽已宣布在美投入半导体前道和后道工序，但目前尚无新建专门用于生产内存芯片的晶圆厂计划。

与此同时，SK 海力士近期虽宣布在印第安纳州西拉法叶投资 40 亿美元（最新注：现汇率约合 279.07 亿元人民币），但该项目主要聚焦于 2.5D 先进封装与研发工作，并未包含 DRAM 生产线。

目前仅有美光科技一家主要厂商明确致力于在美国本土生产 DRAM 芯片。若新政落地，这两家韩国巨头将首当其冲，面临极为严峻的经营风险。

这一政策对本已紧张的全球存储市场而言无异于雪上加霜。受人工智能产业爆发式增长的驱动，DRAM 价格此前已攀升至历史高位，产能扩张本就面临巨大挑战。

科技媒体 Wccftech 认为，若美国强行实施 100% 关税，将导致供应链成本剧增，进而引发存储产品价格进一步失控。对于正处于高速发展期的 AI 行业而言，核心硬件成本的暴涨可能成为阻碍技术普及的“拦路虎”，而最终的成本压力极大概率将转嫁给下游厂商及普通消费者。